SiC Heater Block 碳化矽加熱塊｜Wire Bonding / Die Attach 半導體封裝加熱平台

SiC Heater Block 碳化矽加熱塊

SiC Heater Block（碳化矽加熱塊）主要應用於 Wire Bonding（打線接合）、Die Attach（晶粒黏著）、Die Bonding 及半導體封裝設備，作為元件加熱、承載與精密溫度控制相關的重要零組件。

在半導體封裝製程中，Heater Block 不只是提供加熱功能，工作區域的熱傳導效率、溫度均勻性、熱穩定性、尺寸穩定性與表面品質，都可能影響實際製程表現。

SiC（Silicon Carbide，碳化矽）具有良好的熱傳導性能、低熱膨脹、高硬度及尺寸穩定性，因此可依不同設備與製程需求，評估作為傳統金屬 Heater Block 的替代或性能改善方案。

徽亞科技提供 SiC Heater Block 高度客製化設計與精密加工，可依客戶現有設備、零件圖面、工作溫度、加熱方式、工作區域、孔位、溝槽、尺寸公差、表面要求及設備介面進行製作與可行性評估。

高度客製化 SiC Heater Block

SiC Heater Block 屬於高度客製化半導體設備零組件，並非單一標準尺寸產品。

不同 Wire Bonding、Die Attach 與 Die Bonding 設備具有不同的加熱器配置、工作區域、孔位、安裝方式、溫度感測位置、固定結構及製程條件，因此 Heater Block 的材料、尺寸與結構需要依實際設備個別設計。

可依客戶需求針對以下項目進行客製化評估：

• Working Area｜工作區域
• Heater Configuration｜加熱器配置
• Operating Temperature｜工作溫度
• Temperature Uniformity｜溫度均勻性
• Length / Width / Thickness｜長度、寬度與厚度
• Hole Pattern｜孔位設計
• Grooves｜溝槽結構
• Vacuum / Suction Holes｜真空或吸附孔
• Flatness｜平面度
• Parallelism｜平行度
• Surface Roughness｜表面粗糙度
• Mounting Interface｜設備安裝介面
• Custom Geometry｜特殊幾何結構

SiC Heater Block 主要材料特性

良好的熱傳導性能

Heater Block 的核心功能之一，是將加熱源產生的熱量有效傳遞到工作區域。SiC 具有良好的熱傳導性能，可依 Heater Block 結構與加熱方式應用於需要快速且穩定熱傳遞的半導體封裝設備。

良好的溫度均勻性

對 Wire Bonding 與 Die Attach 製程而言，除了達到設定溫度之外，Working Area 工作區域內不同位置的溫度差異也是重要的製程條件。

SiC 的熱傳導特性有助於進行 Heater Block 工作區域的熱分布設計。實際溫度均勻性仍會受到加熱器位置、孔位、Heater Block 尺寸、工作溫度、設備結構及製程條件影響。

低熱膨脹與尺寸穩定性

SiC 具有相對較低的熱膨脹特性，因此在 Heater Block 反覆升溫與降溫的工作環境中，有利於維持零件尺寸與幾何穩定性。

對需要控制平面度、孔位、工作區域及設備組裝精度的半導體設備而言，熱膨脹是 Heater Block 材料選擇的重要考量之一。

高硬度與耐磨性能

SiC 屬於高硬度精密陶瓷材料，具有良好的耐磨與尺寸穩定特性，可應用於需要長時間保持表面與幾何精度的設備零組件。

陶瓷材料與金屬材料具有不同的機械特性，因此在設計 SiC Heater Block 時，也需適當考量孔位、邊角、固定方式與局部應力。

SiC Heater Block 熱分布測試

在特定 Heater Block 材料比較測試中，SiC 在熱傳導與熱分布特性方面呈現良好表現。

針對特定 Wire Bonding Heater Block 專案，在相同設備與測試條件下導入 SiC Heater Block 後，Working Area 工作區域的 Max-Min 溫度差由約 15°C 降低至約 5°C。

此結果顯示，在特定設備與 Heater Block 結構下，SiC 材料與結構設計可改善工作區域的溫度分布，並對製程穩定性與生產良率帶來正面效果。

說明：上述結果為特定材料、Heater Block 結構、設備及測試條件下的實際評估結果。不同設備的加熱器配置、工作溫度、零件尺寸與製程條件不同，實際效果需依個別設備進行評估。

Wire Bonding Heater Block 打線接合應用

Wire Bonding（打線接合）是半導體封裝的重要製程之一。Heater Block 可作為封裝元件的精密加熱與承載平台，使工作區域維持適當且穩定的製程溫度。

SiC Heater Block 可依 Wire Bonding 設備需求評估：

• Working Area Temperature Uniformity｜工作區域溫度均勻性
• Thermal Conductivity｜熱傳導性能
• Heating Stability｜加熱穩定性
• Flatness｜平面度
• Parallelism｜平行度
• Dimensional Accuracy｜尺寸精度
• Hole Pattern｜孔位設計
• Groove Design｜溝槽設計
• Surface Requirements｜表面要求
• Equipment Interface｜設備介面

Die Attach / Die Bonding Heater Block 應用

在 Die Attach（晶粒黏著）及 Die Bonding 製程中，Heater Block 可提供晶粒、基板或封裝元件所需要的加熱與承載條件。

SiC 的良好熱傳導、低熱膨脹及尺寸穩定特性，使其可作為 Die Attach Heater Block 的材料選項。

實際 Heater Block 可依工作溫度、加熱方式、產品尺寸、工作區域、孔位、吸附結構及設備安裝方式進行客製化設計。

SiC 與傳統金屬 Heater Block

不同材料各有優勢，SiC 並非在所有 Heater Block 應用中都一定優於金屬材料，實際選擇應依工作溫度、熱分布需求、設備結構、加工設計及成本進行綜合評估。

SiC / Metal 複合式 Heater Block

除全 SiC Heater Block 外，也可依實際設備結構評估 SiC 與金屬結合的複合式 Heater Block。

複合式結構可依需求設計 SiC 工作區域搭配金屬支撐或設備連接結構，並綜合考量熱膨脹差異、固定方式、接合方式及設備介面。

實際結構與材料組合需依工作溫度、Heater Block 尺寸及客戶設備進行個別設計。

SiC Heater Block 精密客製化加工

徽亞科技提供 SiC Heater Block 精密陶瓷客製化製作，可依客戶既有 Heater Block、設備零件或新開發圖面進行材料與加工可行性評估。

客製加工項目包括：

• 長度、寬度、厚度
• 尺寸公差
• 平面度與平行度
• 表面粗糙度
• 孔位加工
• 溝槽加工
• 真空／吸附孔
• 加熱工作區域
• 設備安裝孔位
• 特殊幾何結構
• SiC / Metal 複合式結構

客製 SiC Heater Block 評估資料

如需評估 SiC Heater Block，建議提供：

• 現有 Heater Block 圖面或尺寸
• 目前使用材料
• 工作溫度
• 加熱方式與 Heater 配置
• Working Area 尺寸
• 目前工作區域溫度分布
• 希望改善的溫度均勻性
• 平面度與尺寸公差
• 表面粗糙度
• 孔位及溝槽
• 設備安裝介面
• Wire Bonding / Die Attach 實際製程條件

SiC Heater Block for Wire Bonding & Die Attach

SiC Heater Blocks are highly customized precision thermal components developed for Wire Bonding, Die Attach, Die Bonding and semiconductor packaging equipment.

Silicon Carbide (SiC) offers a combination of good thermal conductivity, relatively low thermal expansion, high hardness and dimensional stability, making it suitable for Heater Block applications requiring controlled heat distribution and stable working-area temperatures.

Huiya Technology provides custom SiC Heater Block manufacturing and precision machining according to equipment design, customer drawings, operating temperature, heater configuration, working-area requirements, dimensional tolerances and surface specifications.

Thermal Uniformity

In a specific Wire Bonding Heater Block evaluation, the use of a SiC Heater Block improved temperature distribution within the working area. Under the evaluated conditions, the Max-Min temperature difference was reduced from approximately 15°C to 5°C.

The optimized thermal distribution contributed positively to process stability and production yield under the specific evaluated process conditions.

Actual performance depends on Heater Block geometry, heater configuration, operating temperature, equipment structure and semiconductor process conditions.

Key Features

• Good thermal conductivity
• Improved temperature uniformity
• Relatively low thermal expansion
• High hardness
• Good dimensional stability
• Precision ceramic machining
• Highly customized design
• Custom holes and grooves
• SiC / metal composite structure available upon evaluation

Applications

• Wire Bonding Heater Block
• Die Attach Heater Block
• Die Bonding Heater Block
• Semiconductor Packaging Equipment
• Precision Heating Stage
• Thermal Management Components
• Custom Semiconductor Equipment Components

SiC Heater Block 應用說明

SiC Heater Block 主要應用於半導體封裝設備的精密加熱、承載與熱管理，特別適合對工作區域溫度均勻性、尺寸穩定性及熱傳導性能有較高要求的設備。

主要應用包括：

• Wire Bonding Heater Block｜打線接合加熱塊
• Die Attach Heater Block｜晶粒黏著加熱塊
• Die Bonding Heater Block｜晶粒接合加熱塊
• Semiconductor Packaging Equipment｜半導體封裝設備
• Precision Heating Stage｜精密加熱平台
• Thermal Management Stage｜熱管理平台
• Customized Semiconductor Equipment｜客製半導體設備零組件

SiC Heater Block 為高度客製化產品，可依設備的工作溫度、加熱器配置、Working Area、尺寸、公差、平面度、孔位、溝槽、表面要求及設備介面進行設計與製造評估。

如現有 Heater Block 存在工作區域溫差較大、熱分布不均、熱變形或製程穩定性等問題，也可提供現有零件圖面與設備條件，評估 SiC 材料替代或 Heater Block 結構改善方案。